凈化工程的潔凈室中的溫度和氣壓控制

環(huán)保越來(lái)越受到人們的關(guān)注，尤其是霧霾天氣的增多。凈化工程是環(huán)保措施之一，如何利用凈化工程來(lái)做好環(huán)保工作，下面來(lái)說(shuō)說(shuō)凈化工程中的控制。

1、潔凈室中的溫濕度控制

潔凈空間的溫濕度主要是根據工藝要求來(lái)確定，但在滿(mǎn)足工藝要求的條件下，應考慮到 人的舒適度感。隨著(zhù)空氣潔凈度要求的提高，出現了工藝對溫濕度的要求也越來(lái)越嚴的趨勢。

具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來(lái)越精細，所以對溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如在大規模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數的差要求越來(lái)越小。

直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線(xiàn)性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時(shí)要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車(chē)間，這種車(chē)間不宜超過(guò)25度。

濕度過(guò)高產(chǎn)生的問(wèn)題更多。相對濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻水管壁上會(huì )結露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會(huì )引起各種事故。相對濕度在50%時(shí)易生銹。此外，濕度太高時(shí)將通過(guò)空氣中的水分子把硅片表面粘著(zhù)的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。

相對濕度越高,粘附的難去掉，但當相對濕度低于30%時(shí)，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時(shí)大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)最佳溫度范圍為35—45%。

2、潔凈室中的氣壓規定

對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：

1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。

2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。

3.相通潔凈室之間的門(mén)要開(kāi)向潔凈度級別高的房間。

壓力差的維持依靠新風(fēng)量，這個(gè)新風(fēng)量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風(fēng)量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風(fēng)量通過(guò)潔凈室的各種縫隙時(shí)的阻力。